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【48812】BeSTMOS 600V 650V 70TO-220F TO-24752 选型阐明
来源:江南app下载 发布时间:2024-08-07 07:01:28高速半桥栅极驱动器,具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流,选用DSO-8封装,用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号
氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体职业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式对外发布第三代快速(G3
碳化硅MOSFETs产品系列,为完成最快的开关速度、最高的功率和功率密度的增进进行优化,
N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册.pdf》材料免费下载
75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册.pdf》材料免费下载
60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册.pdf》材料免费下载
60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册.pdf》材料免费下载
50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UH数据手册.pdf》材料免费下载
50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UE数据手册.pdf》材料免费下载
40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》材料免费下载
10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC材料文档.pdf》材料免费下载
近来,国内半导体功率器材领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰科技”)再度改写业界认知,推出了一款专为光伏储能充电桩等高频使用而规划的50A
封装IGBT单管 /
-2封装,具有2个引脚,不只增加了安规间隔,提高了可靠性,并且适用于多种使用场景。
各位大神,求电路图,用MC34063规划出一个升降压DC-DC,输出900mA左右
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